Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD50T4G, On Semiconductor

Bipolar Transistor

Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo400V
Continuous Collector Current, Ic1A
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)30V
Power Dissipation, Pd15W
DC Current Gain Min (hfe)150


MJD50T4G, On Semiconductor

Параметры MJD50T4G

НаименованиеMJD50T4G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул259312
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Граничная рабочая частота
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD50T4G, доступные на складе

  • Изображение  KSH50TF

    KSH50TF
    FAIR

    TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 400V, TO-252-3

  • Изображение  MJD50G

    MJD50G
    ONS

    TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:400V; Current, Ic Continuous a Max:1A; Voltage, Vce Sat Max:1V; Power Dissipation:1.56W; Hfe, Min:25; ft, Typ:10MHz; Case Style:D-PAK; Termination Type:SMD; Application Code:PGP; Current, Ic Max:1A; Current, Ic hFE:0.2A; Depth, External:10.28mm; Length / Height, External:2.38mm; Marking, SMD:MJD50; Power, Ptot:15W; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No.…

Изображения MJD50T4G

MJD50T4G, On Semiconductor MJD50T4G, On Semiconductor MJD50T4G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
18,90 руб
от 71 шт. 16,60 руб
от 206 шт. 14,20 руб
от 449 шт. 13,10 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом