Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD50T4G, On Semiconductor

Bipolar Transistor

Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo400V
Continuous Collector Current, Ic1A
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)30V
Power Dissipation, Pd15W
DC Current Gain Min (hfe)150


MJD50T4G, On Semiconductor

Параметры MJD50T4G

Наименование MJD50T4G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 259312
Макс. рабочая частота
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Transition Frequency ft

Аналоги MJD50T4G, доступные на складе

  • Изображение  MJD50G

    MJD50G
    ONS

    TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:400V; Current, Ic Continuous a Max:1A; Voltage, Vce Sat Max:1V; Power Dissipation:1.56W; Hfe, Min:25; ft, Typ:10MHz; Case Style:D-PAK; Termination Type:SMD; Application Code:PGP; Current, Ic Max:1A; Current, Ic hFE:0.2A; Depth, External:10.28mm; Length / Height, External:2.38mm; Marking, SMD:MJD50; Power, Ptot:15W; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No.…

  • Изображение  KSH50TF

    KSH50TF
    FAIR

    TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 400V, TO-252-3

Изображения MJD50T4G

MJD50T4G, On Semiconductor MJD50T4G, On Semiconductor MJD50T4G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
18,20 руб
от 189 шт. 15,60 руб
от 412 шт. 14,30 руб
Наличие на складе
5000 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом