Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6635TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, DIRECTFET, MX

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont25A
Resistance, Rds On1.3mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ5970pF
Current, Idm Pulse250A
Marking, SMD6635
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ20ns
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V


Параметры IRF6635TR1

НаименованиеIRF6635TR1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул258995
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Rds(on)

Аналоги IRF6635TR1, доступные на складе

  • Изображение  IRF6635TR1PBF

    IRF6635TR1PBF
    INFIN

    N CH MOSFET, 30V, 25A, DIRECTFET MX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes

  • Изображение  IRF6635TRPBF

    IRF6635TRPBF
    INFIN

    20V-30V N-Channel Power MOSFET,

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
193,00 руб
от 7 шт. 169,00 руб
от 21 шт. 145,00 руб
от 44 шт. 133,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом