Терраэлектроника

IRF6619TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, DIRECTFET, MX

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont24A
Resistance, Rds On1.65mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.45V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ5040pF
Current, Idm Pulse240A
Marking, SMD6619
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ29ns
Voltage, Vds20V
Voltage, Vds Max30V


Параметры IRF6619TR1

НаименованиеIRF6619TR1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул258849
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRF6619TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
104,50 руб
от 14 шт. 91,50 руб
от 41 шт. 78,50 руб
от 88 шт. 72,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом