Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6619TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, MX

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont24A
Resistance, Rds On1.65mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.45V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ5040pF
Current, Idm Pulse240A
Marking, SMD6619
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ29ns
Voltage, Vds20V
Voltage, Vds Max30V


Параметры IRF6619TR1

Наименование IRF6619TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258849
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Кол-во выводов
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Документация для IRF6619TR1

Аналоги IRF6619TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
85,50 руб
от 41 шт. 73,50 руб
от 88 шт. 67,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом