Терраэлектроника

IRF6665TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, DIRECTFET, SH

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont19A
Resistance, Rds On53mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleSH
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ530pF
Current, Idm Pulse34A
Marking, SMD6665
Power Dissipation2.2W
Power, Pd2.2W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ31ns
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V


Параметры IRF6665TR1

НаименованиеIRF6665TR1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул258847
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Корпус
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток

Документация для IRF6665TR1

Аналоги IRF6665TR1, доступные на складе

  • Изображение  IRF6665TR1PBF

    IRF6665TR1PBF
    INFIN

    MOSFET, N, DIRECTFET, 100V, SH; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:4.2A; Resistance, Rds On:53mohm;…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
80,00 руб
от 17 шт. 70,00 руб
от 50 шт. 60,00 руб
от 108 шт. 55,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом