Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6637TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, MP

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont14A
Resistance, Rds On5.7mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleMP
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ1330pF
Current, Idm Pulse110A
Marking, SMD6637
Power Dissipation2.3W
Power, Pd2.3W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ13ns
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V


Параметры IRF6637TR1

Наименование IRF6637TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258846
Vgs для измерения Rds(on)
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

Аналоги IRF6637TR1, доступные на складе

  • Изображение  IRF6637TR1PBF

    IRF6637TR1PBF
    INFIN

    MOSFET, N, DIRECTFET, 30V, MP; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:14A; Resistance, Rds On:5.7mohm;…

  • Изображение  IRF6637TRPBF

    IRF6637TRPBF
    INFIN

    20V-30V N-Channel Power MOSFET,

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
87,50 руб
от 16 шт. 76,50 руб
от 46 шт. 65,50 руб
от 100 шт. 60,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом