Терраэлектроника

IRF6637TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, DIRECTFET, MP

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont14A
Resistance, Rds On5.7mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleMP
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ1330pF
Current, Idm Pulse110A
Marking, SMD6637
Power Dissipation2.3W
Power, Pd2.3W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ13ns
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V


Параметры IRF6637TR1

НаименованиеIRF6637TR1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул258846
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток

Аналоги IRF6637TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
86,00 руб
от 16 шт. 75,50 руб
от 46 шт. 64,50 руб
от 100 шт. 59,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом