Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6655TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, DIRECTFET, SH

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont19A
Resistance, Rds On62mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4.8V
Case StyleSH
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ530pF
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C37nC
Current, Idm Pulse34A
Depth, External4.85mm
IC Package (Case style)SH
Length / Height, External0.7mm
Marking, SMD6655
Pins, No. of6
Power Dissipation4.2W
Power, Pd2.2W
Resistance, Rds on Max62mohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ31ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs Max20V
Voltage, Vgs th Max4.8V
Voltage, Vgs th Min2.8V
Width, External3.95mm


Параметры IRF6655TR1

НаименованиеIRF6655TR1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул258843
Корпус
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
72,50 руб
от 19 шт. 63,50 руб
от 54 шт. 54,50 руб
от 118 шт. 49,90 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом