Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6662TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET: N, 100 В, Q1: N, 22mΩ / 10V, 8.3 А


Параметры IRF6662TR1

Наименование IRF6662TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258842
Vgs для измерения Rds(on)
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

Аналоги IRF6662TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
88,00 руб
от 16 шт. 77,00 руб
от 47 шт. 66,00 руб
от 101 шт. 60,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом