Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6662TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET: N, 100 В, Q1: N, 22mΩ / 10V, 8.3 А


Параметры IRF6662TR1

Наименование IRF6662TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258842
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус

Документация для IRF6662TR1

Аналоги IRF6662TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
74,00 руб
от 47 шт. 63,50 руб
от 101 шт. 58,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом