Терраэлектроника

IRF6626TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, DIRECTFET, ST

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont16A
Resistance, Rds On4mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.35V
Case StyleST
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ2380pF
Current, Idm Pulse16A
Marking, SMD6626
Power Dissipation2.2W
Power, Pd2.2W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ15ns
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V


Параметры IRF6626TR1

НаименованиеIRF6626TR1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул258841
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток

Аналоги IRF6626TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
94,50 руб
от 16 шт. 82,50 руб
от 45 шт. 71,00 руб
от 96 шт. 65,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом