Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6626TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, ST

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont16A
Resistance, Rds On4mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.35V
Case StyleST
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ2380pF
Current, Idm Pulse16A
Marking, SMD6626
Power Dissipation2.2W
Power, Pd2.2W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ15ns
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V


Параметры IRF6626TR1

Наименование IRF6626TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258841
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

Документация для IRF6626TR1

Аналоги IRF6626TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
91,00 руб
от 16 шт. 79,50 руб
от 45 шт. 68,00 руб
от 96 шт. 62,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом