Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6633TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, MP

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont16A
Resistance, Rds On4.1mohm
Case StyleMP
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ1250pF
Current, Idm Pulse132A
Marking, SMD6633
Power Dissipation2.3W
Power, Pd2.3W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ18ns
Voltage, Vds20V
Voltage, Vds Max20V


Параметры IRF6633TR1

Наименование IRF6633TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258840
Vgs для измерения Rds(on)
Корпус
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

Аналоги IRF6633TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
79,50 руб
от 18 шт. 69,50 руб
от 52 шт. 59,50 руб
от 112 шт. 55,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом