Терраэлектроника

IRF6621TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, DIRECTFET, SQ

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont12A
Resistance, Rds On7mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleSQ
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ1460pF
Current, Idm Pulse96A
Marking, SMD6621
Power Dissipation2.2W
Power, Pd2.2W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ9.8ns
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V


Параметры IRF6621TR1

НаименованиеIRF6621TR1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул258839
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Корпус
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRF6621TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
71,00 руб
от 19 шт. 62,00 руб
от 56 шт. 53,00 руб
от 120 шт. 48,90 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом