Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6616TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, MX

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ40V
Current, Id Cont19A
Resistance, Rds On4.6mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ3765pF
Current, Idm Pulse150A
Marking, SMD6616
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ15ns
Voltage, Vds40V
Voltage, Vds Max40V


Параметры IRF6616TR1

Наименование IRF6616TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258838
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги IRF6616TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
83,00 руб
от 17 шт. 73,00 руб
от 49 шт. 62,50 руб
от 107 шт. 57,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом