Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6616TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, MX

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ40V
Current, Id Cont19A
Resistance, Rds On4.6mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ3765pF
Current, Idm Pulse150A
Marking, SMD6616
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ15ns
Voltage, Vds40V
Voltage, Vds Max40V


Параметры IRF6616TR1

Наименование IRF6616TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258838
Корпус
Тмакс,°C
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Рассеиваемая мощность
Rds(on)
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

Документация для IRF6616TR1

Аналоги IRF6616TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
70,00 руб
от 49 шт. 60,00 руб
от 107 шт. 55,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом