Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6611TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, MX

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont32A
Resistance, Rds On2mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.25V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ4860pF
Current, Idm Pulse220A
Marking, SMD6611
Power Dissipation3.9W
Power, Pd3.9W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ24ns
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V


Параметры IRF6611TR1

Наименование IRF6611TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258837
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Ток стока Id
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Документация для IRF6611TR1

Аналоги IRF6611TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
88,50 руб
от 39 шт. 76,00 руб
от 85 шт. 70,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом