Терраэлектроника

IRF6611TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, DIRECTFET, MX

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont32A
Resistance, Rds On2mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.25V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ4860pF
Current, Idm Pulse220A
Marking, SMD6611
Power Dissipation3.9W
Power, Pd3.9W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ24ns
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V


Параметры IRF6611TR1

НаименованиеIRF6611TR1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул258837
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Корпус
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRF6611TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
102,00 руб
от 14 шт. 89,50 руб
от 39 шт. 76,50 руб
от 85 шт. 70,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом