Терраэлектроника

IRFIBF30GPBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, 900V, 1.9A, TO-220FP

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ900V
Current, Id Cont1.9A
Resistance, Rds On3.7ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220FP
Termination TypeThrough Hole
Current, Iar1.9A
Current, Idm Pulse7.6A
Current, Idss Max100чA
Energy, Avalanche Repetitive Ear2.5mJ
Energy, Avalanche Single Pulse Eas220mJ
Pins, No. of3
Power Dissipation35W
Power, Pd35W
Power, Ptot35W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Thermal Resistance, Junction to Case A3.6°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds900V
Voltage, Vds Max900V
Voltage, Vgs Max20V
Voltage, Vgs th Max4V
Weight2g
dv/dt1.5V/s


IRFIBF30GPBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRFIBF30GPBF

НаименованиеIRFIBF30GPBF
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул258827
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
97,00 руб
от 15 шт. 85,00 руб
от 50 шт. 73,00 руб
от 100 шт. 67,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом