Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4BC40FPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max49A
Voltage, Vce Sat Max1.8V
Power Dissipation160W
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed200A
Pins, No. of3
Power, Pd160W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max170ns
Time, Rise18ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC40FPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC40FPBF

Наименование IRG4BC40FPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258816
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd

Аналоги IRG4BC40FPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4BC40F

    IRG4BC40F
    INFIN

    IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:49A; Voltage, Vce Sat Max:1.8V; Power Dissipation:160W; Case Style:TO-220; Current, Icm Pulsed:200A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
129,00 руб
от 27 шт. 110,00 руб
от 50 шт. 101,00 руб
Наличие на складе
615 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом