Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4BC40FPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max49A
Voltage, Vce Sat Max1.8V
Power Dissipation160W
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed200A
Pins, No. of3
Power, Pd160W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max170ns
Time, Rise18ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC40FPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC40FPBF

Наименование IRG4BC40FPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258816
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd

Аналоги IRG4BC40FPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4BC40F

    IRG4BC40F
    INFIN

    IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:49A; Voltage, Vce Sat Max:1.8V; Power Dissipation:160W; Case Style:TO-220; Current, Icm Pulsed:200A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
152,00 руб
от 10 шт. 133,00 руб
от 27 шт. 114,00 руб
от 50 шт. 105,00 руб
Наличие на складе
110 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом