Терраэлектроника

IRG4BC40FPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max49A
Voltage, Vce Sat Max1.8V
Power Dissipation160W
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed200A
Pins, No. of3
Power, Pd160W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max170ns
Time, Rise18ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC40FPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC40FPBF

НаименованиеIRG4BC40FPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул258816
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия

Аналоги IRG4BC40FPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4BC40F

    IRG4BC40F
    INFIN

    IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:49A; Voltage, Vce Sat Max:1.8V; Power Dissipation:160W; Case Style:TO-220; Current, Icm Pulsed:200A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
129,00 руб
от 11 шт. 113,00 руб
от 31 шт. 97,00 руб
от 67 шт. 89,00 руб
Наличие на складе
246 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом