Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6610TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, DIRECTFET, SQ

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont12A
Resistance, Rds On8.2mohm
Case StyleSQ
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ1520pF
Current, Idm Pulse120A
Marking, SMD6610
Power Dissipation2.2W
Power, Pd2.2W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ12ns
Voltage, Vds20V
Voltage, Vds Max20V


Параметры IRF6610TR1

НаименованиеIRF6610TR1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул258785
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Конфигурация и полярность
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Rds(on) @ Vgs
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса

Аналоги IRF6610TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
95,50 руб
от 14 шт. 83,50 руб
от 41 шт. 71,50 руб
от 89 шт. 65,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом