Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6610TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, SQ

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont12A
Resistance, Rds On8.2mohm
Case StyleSQ
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ1520pF
Current, Idm Pulse120A
Marking, SMD6610
Power Dissipation2.2W
Power, Pd2.2W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ12ns
Voltage, Vds20V
Voltage, Vds Max20V


Параметры IRF6610TR1

Наименование IRF6610TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258785
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Vgs для измерения Rds(on)
Корпус
Рассеиваемая мощность

Документация для IRF6610TR1

Аналоги IRF6610TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
84,00 руб
от 41 шт. 72,00 руб
от 89 шт. 66,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом