Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFR014PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, 60V, 7.7A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ60V
Current, Id Cont7.7A
Resistance, Rds On0.2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse31A
Depth, External10.5mm
Length / Height, External2.55mm
Marking, SMDIRFR014
Power Dissipation25W
Power, Pd25W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A5°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max60V
Width, External6.8mm


IRFR014PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRFR014PBF

НаименованиеIRFR014PBF
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул258710
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Конфигурация и полярность
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов

Аналоги IRFR014PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFR024NPBF

    IRFR024NPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 55V, 16A, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:16A; Resistance, Rds On:0.07ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D-PAK; Current, Idm Pulse:68A; Depth, External:10.5mm; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:IRFR024N; Power Dissipation:38W; Power, Pd:38W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:3.3°C/W; Transistors, No.…

Изображения IRFR014PBF

IRFR014PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. IRFR014PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. IRFR014PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
37,40 руб
от 36 шт. 32,80 руб
от 104 шт. 28,10 руб
от 225 шт. 25,80 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом