Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRGP4063DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

TRENCH IGBT, 600V, ULTRA FAST

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max96A
Voltage, Vce Sat Max2.14V
Power Dissipation330W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed192A
Pin ConfigurationG(1), C(2), E(3)
Pins, No. of3
Power, Pd330W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max175°C
Temperature, Tj Min-55°C
Thermal Resistance, Junction to Case A0.45°C/W
Time, Fall46ns
Time, Fall Typ35ns
Time, Rise56ns
Voltage, Vce Sat Typ1.65V
Voltage, Vceo600V


Параметры IRGP4063DPBF

Наименование IRGP4063DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258708
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
421,00 руб
от 4 шт. 369,00 руб
от 10 шт. 316,00 руб
от 25 шт. 290,00 руб
Наличие на складе
1200 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом