Терраэлектроника

IRGP4063DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

TRENCH IGBT, 600V, ULTRA FAST

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max96A
Voltage, Vce Sat Max2.14V
Power Dissipation330W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed192A
Pin ConfigurationG(1), C(2), E(3)
Pins, No. of3
Power, Pd330W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max175°C
Temperature, Tj Min-55°C
Thermal Resistance, Junction to Case A0.45°C/W
Time, Fall46ns
Time, Fall Typ35ns
Time, Rise56ns
Voltage, Vce Sat Typ1.65V
Voltage, Vceo600V


Параметры IRGP4063DPBF

НаименованиеIRGP4063DPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул258708
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
237,00 руб
от 7 шт. 207,50 руб
от 18 шт. 178,00 руб
от 39 шт. 163,00 руб
Наличие на складе
883 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом