Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF640NSTRRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current, Id18A
Package/CaseD2-PAK
Power Dissipation, Pd150W
Continuous Drain Current - 100 Deg C13A
Drain Source On Resistance @ 10V150mohm


Параметры IRF640NSTRRPBF

Наименование IRF640NSTRRPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258442
Рассеиваемая мощность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом