Терраэлектроника

IRFB3507PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 75V, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:75V; Current, Id Cont:97A; Resistance, Rds On:7mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:390A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:190W; Power, Pd:190W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:75V


IRFB3507PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFB3507PBF

НаименованиеIRFB3507PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул258028

Аналоги IRFB3507PBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
144,50 руб
от 10 шт. 126,50 руб
от 29 шт. 108,50 руб
от 50 шт. 99,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом