Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFB3507PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 75V, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:75V; Current, Id Cont:97A; Resistance, Rds On:7mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:390A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:190W; Power, Pd:190W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:75V


IRFB3507PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFB3507PBF

Наименование IRFB3507PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258028
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFB3507PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFB3507

    IRFB3507
    INFIN

    Полевой транзистор. 75V. 97A.

  • Изображение  IPP100N08N3GXKSA1

    IPP100N08N3GXKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    80V-100V N-Channel Power MOSFET, OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supp…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
119,00 руб
от 29 шт. 102,00 руб
от 50 шт. 93,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом