Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFI4212H-117P, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

MOSFET: N + N, 100 В, Q1: N, 72.5mΩ / 10V, Q2: N, 72.5mΩ / 10V

Описание с сайта производителя

Преимущества

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Dual N-Channel MOSFET
  • Integrated Half Bridge package
  • Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications
  • Low Qrr for better THD and improved efficiency
  • Low Qg and Qsw for Better THD and Improved Efficiency

Параметры IRFI4212H-117P

Наименование IRFI4212H-117P
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258024
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

Аналоги IRFI4212H-117P, доступные на складе

  • Изображение  IRFI4020H-117P

    IRFI4020H-117P
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Dual N-Channel MOSFETIntegrated Half Bridge…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
75,50 руб
от 50 шт. 64,50 руб
от 100 шт. 59,50 руб
Наличие на складе
63 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом