Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFI4212H-117P, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

MOSFET: N + N, 100 В, Q1: N, 72.5mΩ / 10V, Q2: N, 72.5mΩ / 10V


Параметры IRFI4212H-117P

Наименование IRFI4212H-117P
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 258024
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFI4212H-117P, доступные на складе

  • Изображение  IRFI4020H-117P

    IRFI4020H-117P
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Dual N-Channel MOSFETIntegrated Half Bridge…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
83,00 руб
от 17 шт. 72,50 руб
от 50 шт. 62,00 руб
от 100 шт. 57,00 руб
Наличие на складе
187 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом