Терраэлектроника

IRFI4212H-117P, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET: N + N, 100 В, Q1: N, 72.5mΩ / 10V, Q2: N, 72.5mΩ / 10V

Описание с сайта производителя

Преимущества

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Dual N-Channel MOSFET
  • Integrated Half Bridge package
  • Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications
  • Low Qrr for better THD and improved efficiency
  • Low Qg and Qsw for Better THD and Improved Efficiency

Параметры IRFI4212H-117P

НаименованиеIRFI4212H-117P
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул258024
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRFI4212H-117P, доступные на складе

  • Изображение  IRFI4020H-117P

    IRFI4020H-117P
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Dual N-Channel MOSFETIntegrated Half Bridge…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
75,00 руб
от 19 шт. 65,50 руб
от 50 шт. 56,50 руб
от 100 шт. 52,00 руб
Наличие на складе
194 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом