Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

PDTB113ZT, NXP SEMICONDUCTORS

LS: полупроводн


Параметры PDTB113ZT

Наименование PDTB113ZT
Производитель NXP SEMICONDUCTORS (NXP)
Артикул 257987
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Серия
База-эмиттер резистор R2
Базовый резистор R1
Uce/ Uds макс.
Digital Transistor Polarity
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом