Терраэлектроника

PDTB113ZT, NXP SEMICONDUCTORS

LS: полупроводн


Параметры PDTB113ZT

НаименованиеPDTB113ZT
ПроизводительNXP SEMICONDUCTORS (NXP)
Артикул257987
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом