Терраэлектроника

IRLL014N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N LOGIC SOT-223

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont2A
Resistance, Rds On0.14ohm
Case StyleSOT-223
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse16A
Depth, External7.3mm
Length / Height, External1.7mm
Marking, SMDLL014N
Power Dissipation2.1W
Power, Pd2.1W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs th Max2V
Width, External6.7mm
Width, Tape12mm


IRLL014N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRLL014N

НаименованиеIRLL014N
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул25770

Аналоги IRLL014N, доступные на складе

  • Изображение  IRLL014NPBF

    IRLL014NPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 55V, 2A, SOT-223; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:2A; Resistance, Rds On:0.14ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2V; Case Style:SOT-223; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:16A; Depth, External:7.3mm; Length / Height, External:1.7mm; Marking, SMD:LL014N; Power Dissipation:2.1W; Power, Pd:2.1W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:60°C/W; Transistors, No.…

  • Изображение  IRLL014NTRPBF

    IRLL014NTRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:2A; Package/Case:SOT-223; Power Dissipation, Pd:2.1W; Drain Source On Resistance @ 10V:140mohm; Drain Source On Resistance @ 4.5V:280mohm

Изображения IRLL014N

IRLL014N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRLL014N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
33,50 руб
от 43 шт. 29,50 руб
от 125 шт. 25,00 руб
от 240 шт. 23,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом