Терраэлектроника

NAND128W3A2BN6E, ST Microelectronics

Энергонезависимая память - [TSOP1-48]; Тип: FLASH; Интерфейс: NAND; Объём: 128 Мбит; Напряжение: 2.7...3.6 В; Траб: -40...85 °C


NAND128W3A2BN6E, ST Microelectronics

Параметры NAND128W3A2BN6E

НаименованиеNAND128W3A2BN6E
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул257522
Размер памяти (объем)
Конфигурация флэш-памяти
Корпус
Кол-во выводов
Напряжение питания мин.
Напряжение питания макс.
Рабочая температура мин.
Рабочая температура макс.
Серия
Тип памяти
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
235,50 руб
от 7 шт. 206,00 руб
от 18 шт. 176,50 руб
от 39 шт. 162,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом