Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFS11N50APBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, 500V, 11A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ500V
Current, Id Cont11A
Resistance, Rds On0.52ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse44A
Marking, SMD11N50
Power Dissipation170W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.1W
Power, Pd170W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A0.75°C/W
Voltage, Vds500V
Voltage, Vds Max500V
Voltage, Vgs th Max4V


Параметры IRFS11N50APBF

Наименование IRFS11N50APBF
Производитель VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул 256328
Vgs для измерения Rds(on)
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Ток стока Id
Кол-во выводов
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
141,00 руб
от 10 шт. 123,00 руб
от 29 шт. 106,00 руб
от 50 шт. 96,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом