Терраэлектроника

IRFS11N50APBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, 500V, 11A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ500V
Current, Id Cont11A
Resistance, Rds On0.52ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse44A
Marking, SMD11N50
Power Dissipation170W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.1W
Power, Pd170W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A0.75°C/W
Voltage, Vds500V
Voltage, Vds Max500V
Voltage, Vgs th Max4V


Параметры IRFS11N50APBF

НаименованиеIRFS11N50APBF
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул256328
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
131,50 руб
от 11 шт. 115,00 руб
от 32 шт. 98,50 руб
от 69 шт. 90,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом