Терраэлектроника

IRGP30B120KD-E, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT-транзистор+диод. 1200V. 60A.


IRGP30B120KD-E, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGP30B120KD-E

НаименованиеIRGP30B120KD-E
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул25535
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRGP30B120KD-E, доступные на складе

Изображения IRGP30B120KD-E

IRGP30B120KD-E, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGP30B120KD-E, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
438,50 руб
от 4 шт. 384,00 руб
от 10 шт. 329,00 руб
от 25 шт. 302,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом