Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFU5305PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, P, -55V, -28A, I-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-55V
Current, Id Cont22A
Resistance, Rds On0.065ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-4V
Case StyleI-PAK
Termination TypeThrough Hole
Capacitance, Ciss Typ1200pF
Case Style, AlternateI-PAK
Current, Iar16A
Current, Idm Pulse110A
Energy, Avalanche Repetitive Ear6.9mJ
Energy, Avalanche Single Pulse Eas280mJ
Length, Lead9.65mm
Pitch, Lead2.28mm
Power Dissipation110W
Power, Pd69W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.065ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max175°C
Temperature, Tj Min-55°C
Thermal Resistance, Junction to Case A1.8°C/W
Time, Fall63ns
Time, Rise66ns
Time, t Off39ns
Time, t On14ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs th Max-4V
Voltage, Vgs th Min-2V


IRFU5305PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFU5305PBF

Наименование IRFU5305PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 255302
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFU5305PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFU5305

    IRFU5305
    INFIN

    MOSFET, P TO-251; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Current, Id Cont:22A; Resistance, Rds On:0.065ohm; Case Style:TO-251 (I-Pak); Capacitance, Ciss Typ:1200pF; Current, Iar:16A; Current, Idm Pulse:110A; Energy, Avalanche Repetitive Ear:6.9mJ; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:280mJ; Length, Lead:9.65mm; Pitch, Lead:2.28mm; Power Dissipation:110W; Power, Pd:69W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.065ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:175°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:1.8°C/W; Time, Fall:63ns; Time, Rise:66ns; Transistors, No.…

Изображения IRFU5305PBF

IRFU5305PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFU5305PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFU5305PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
43,60 руб
от 33 шт. 38,20 руб
от 75 шт. 32,70 руб
от 225 шт. 30,10 руб
Наличие на складе
90 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом