Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SI2301BDS-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc.

MOSFET, P, SOT-23

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-20V
Current, Id Cont-2.4A
Resistance, Rds On0.1ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-4.5V
Voltage, Vgs th Typ-0.95V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD


Параметры SI2301BDS-T1-E3

Наименование SI2301BDS-T1-E3
Производитель Vishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул 254714
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

Аналоги SI2301BDS-T1-E3, доступные на складе

  • Изображение  IRLML6402TRPBF

    IRLML6402TRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:3.7A; Resistance, Rds On:0.065ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.55V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:633pF; Charge, Gate P Channel:12nC; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:11nC; Current, Idm Pulse:22A; Current, Idss Max:1.0чA; Depth, External:2.5mm; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:11mJ; Length / Height, External:1.12mm; Marking, SMD:1E; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
12,20 руб
от 282 шт. 10,50 руб
от 613 шт. 9,60 руб
Наличие на складе
2825 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом