Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SI2301BDS-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc.

MOSFET, P, SOT-23

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-20V
Current, Id Cont-2.4A
Resistance, Rds On0.1ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-4.5V
Voltage, Vgs th Typ-0.95V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD


Параметры SI2301BDS-T1-E3

Наименование SI2301BDS-T1-E3
Производитель Vishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул 254714
Vgs для измерения Rds(on)
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги SI2301BDS-T1-E3, доступные на складе

  • Изображение  IRLML6402TRPBF

    IRLML6402TRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:3.7A; Resistance, Rds On:0.065ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.55V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:633pF; Charge, Gate P Channel:12nC; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:11nC; Current, Idm Pulse:22A; Current, Idss Max:1.0чA; Depth, External:2.5mm; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:11mJ; Length / Height, External:1.12mm; Marking, SMD:1E; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
14,60 руб
от 95 шт. 12,80 руб
от 276 шт. 10,90 руб
от 601 шт. 10,10 руб
Наличие на складе
5660 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом