Терраэлектроника

SI2301BDS-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc.

MOSFET, P, SOT-23

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-20V
Current, Id Cont-2.4A
Resistance, Rds On0.1ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-4.5V
Voltage, Vgs th Typ-0.95V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD


Параметры SI2301BDS-T1-E3

НаименованиеSI2301BDS-T1-E3
ПроизводительVishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул254714
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги SI2301BDS-T1-E3, доступные на складе

  • Изображение  IRLML6402TRPBF

    IRLML6402TRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:3.7A; Resistance, Rds On:0.065ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.55V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:633pF; Charge, Gate P Channel:12nC; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:11nC; Current, Idm Pulse:22A; Current, Idss Max:1.0чA; Depth, External:2.5mm; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:11mJ; Length / Height, External:1.12mm; Marking, SMD:1E; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
12,30 руб
от 110 шт. 10,80 руб
от 319 шт. 9,30 руб
от 693 шт. 8,50 руб
Наличие на складе
10204 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом