Терраэлектроника

BD136, ST Microelectronics

Биполярный транзистор -

Тип PNP
UКЭ(макс) 45 В
IК(макс) 1.5 А
Pрасс 12.5 Вт
h21 от 250


BD136, ST Microelectronics

Параметры BD136

НаименованиеBD136
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул254006
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Граничная рабочая частота
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги BD136, доступные на складе

  • Изображение  BD136G

    BD136G
    ONS

    RF Bipolar Transistor; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:45V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):40V; Power Dissipation, Pd:1.25W; DC Current Gain Min (hfe):40; Package/Case:TO-225

  • Изображение  BD140

    BD140
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: от 250

  • Изображение  BD140-16

    BD140-16
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [SOT-32]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 500 мВ; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: 25...250

Сопутствующие товары для BD136

  • Изображение  BD135-16

    BD135-16
    ТРАНЗИСТ

    TRANSISTOR, NPN, SOT-32; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:45V; Current, Ic Continuous a Max:1.5A; Voltage, Vce Sat Max:0.5V; Power Dissipation:1.25W; Hfe, Min:25; Case Style:SOT-32; Termination Type:SMD; Current, Ic Max:3A; Current, Ic hFE:0.5A; Pins, No.…

  • Изображение  BD135

    BD135
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: от 250

Изображения BD136

BD136, ST Microelectronics BD136, ST Microelectronics BD136, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
7,60 руб
от 200 шт. 6,60 руб
от 550 шт. 5,70 руб
от 1200 шт. 5,20 руб
Наличие на складе
3361 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом