Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

BD136G, On Semiconductor

RF Bipolar Transistor

Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo45V
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)40V
Power Dissipation, Pd1.25W
DC Current Gain Min (hfe)40
Package/CaseTO-225


BD136G, On Semiconductor

Параметры BD136G

Наименование BD136G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 253825
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов

Аналоги BD136G, доступные на складе

  • Изображение  BD136

    BD136
    ST

    Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: от 250

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом