Терраэлектроника

BD136G, On Semiconductor

RF Bipolar Transistor

Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo45V
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)40V
Power Dissipation, Pd1.25W
DC Current Gain Min (hfe)40
Package/CaseTO-225


BD136G, On Semiconductor

Параметры BD136G

НаименованиеBD136G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул253825
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги BD136G, доступные на складе

  • Изображение  BD136

    BD136
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: от 250

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом