Терраэлектроника

BD138G, On Semiconductor

Биполярный транзистор общего назначения


BD138G, On Semiconductor

Параметры BD138G

НаименованиеBD138G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул252898
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги BD138G, доступные на складе

  • Изображение  BD140

    BD140
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: от 250

  • Изображение  BD138

    BD138
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 60 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: от 250

  • Изображение  BD140-16

    BD140-16
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [SOT-32]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 500 мВ; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: 25...250

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом