Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

BD138G, On Semiconductor

Биполярный транзистор общего назначения


BD138G, On Semiconductor

Параметры BD138G

Наименование BD138G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 252898
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги BD138G, доступные на складе

  • Изображение  BD140-16

    BD140-16
    ST

    Биполярный транзистор - [SOT-32]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 500 мВ; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: 25...250

  • Изображение  BD138

    BD138
    ST

    Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 60 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: от 250

  • Изображение  BD140

    BD140
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: от 250

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом