Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF540, Samsung Electronics

OBS Позиция снята с производства

LS: транзистор N-MOS, 100 V, 33 A, 90 W


IRF540, Samsung Electronics

Параметры IRF540

Наименование IRF540
Производитель Samsung Electronics (SAM)
Артикул 252

Аналоги IRF540, доступные на складе

  • Изображение  IRF540NPBF

    IRF540NPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 100V, 33A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:27A; Resistance, Rds On:0.052ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:110A; Device Marking:IRF540N; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…

  • Изображение  IRF540

    IRF540
    MOT

    LS: транзистор N-MOS, 100 V, 33 A, 90 W

Изображения IRF540

IRF540, Samsung Electronics IRF540, Samsung Electronics IRF540, Samsung Electronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
58,00 руб
от 60 шт. 49,60 руб
от 130 шт. 45,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом