Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

NAND512R3A2CZA6E, STMicroelectronics

Энергонезависимая память - [VFBGA63]; Тип: FLASH; Интерфейс: NAND; Объём: 512 Мбит; Напряжение: 1.7...1.95 В; Траб: -40...85 °C


Параметры NAND512R3A2CZA6E

Наименование NAND512R3A2CZA6E
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 251946
Размер памяти (объем)
Рабочая температура макс.
Корпус
Тип интерфейса
Тип памяти
Напряжение питания макс.
Рабочая температура мин.
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом