Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

NAND512R3A2CZA6E, STMicroelectronics

Энергонезависимая память - [VFBGA63]; Тип: FLASH; Интерфейс: NAND; Объём: 512 Мбит; Напряжение: 1.7...1.95 В; Траб: -40...85 °C


Параметры NAND512R3A2CZA6E

НаименованиеNAND512R3A2CZA6E
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул251946
Корпус
Тип памяти
Размер памяти (объем)
Напряжение питания макс.
Рабочая температура мин.
Рабочая температура макс.
Тип интерфейса
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом