Терраэлектроника

NAND512R3A2CZA6E, STMicroelectronics

Энергонезависимая память - [VFBGA63]; Тип: FLASH; Интерфейс: NAND; Объём: 512 Мбит; Напряжение: 1.7...1.95 В; Траб: -40...85 °C


Параметры NAND512R3A2CZA6E

НаименованиеNAND512R3A2CZA6E
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул251946
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом