Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFI530NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, FULLPAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont11A
Resistance, Rds On0.108ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220FP
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse60A
Pins, No. of3
Power Dissipation33W
Power, Pd33W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max100V


IRFI530NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFI530NPBF

Наименование IRFI530NPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 251675
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)

Аналоги IRFI530NPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFI530N

    IRFI530N
    INFIN

    MOSFET, N FULLPAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:11A; Resistance, Rds On:0.108ohm; Case Style:TO-220 Fullpak; Current, Idm Pulse:60A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
42,90 руб
от 81 шт. 36,70 руб
от 200 шт. 33,70 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом