Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRGP30B120KD-EP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, W/DIODE, 1200V, 60A, TO247AD

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max60A
Voltage, Vce Sat Max2.66V
Power Dissipation300W
Case StyleTO-247AD
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed120A
Time, Fall Max75ns
Time, Rise25ns


Параметры IRGP30B120KD-EP

Наименование IRGP30B120KD-EP
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 251307
Напряжение насыщения К-Э
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C

Аналоги IRGP30B120KD-EP, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
418,00 руб
от 9 шт. 358,00 руб
от 18 шт. 329,00 руб
Наличие на складе
135 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом