Терраэлектроника

IRGP30B120KD-EP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, W/DIODE, 1200V, 60A, TO247AD

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max60A
Voltage, Vce Sat Max2.66V
Power Dissipation300W
Case StyleTO-247AD
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed120A
Time, Fall Max75ns
Time, Rise25ns


Параметры IRGP30B120KD-EP

НаименованиеIRGP30B120KD-EP
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул251307
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги IRGP30B120KD-EP, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
405,00 руб
от 4 шт. 354,00 руб
от 11 шт. 303,50 руб
от 25 шт. 278,50 руб
Наличие на складе
198 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом