Терраэлектроника

IRLML6402PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, P, SOT-23

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-20V
Current, Id Cont3.7A
Resistance, Rds On0.065ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement4.5V
Voltage, Vgs th Typ-0.55V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ633pF
Charge, Gate P Channel12nC
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C11nC
Current, Idm Pulse22A
Current, Idss Max1.0чA
Depth, External2.5mm
Device MarkingIRLML6402
Energy, Avalanche Single Pulse Eas11mJ
Length / Height, External1.12mm
Marking, SMD1E
Pins, No. of3
Power Dissipation1.3W
Power, Pd1.3W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Time, Fall381s
Time, Rise48ns
Time, trr Typ29ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max20V
Voltage, Vgs th Max-0.95V
Voltage, Vgs th Min-0.4V
Width, External3.05mm
Width, Tape8mm


IRLML6402PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRLML6402PBF

НаименованиеIRLML6402PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул251246
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRLML6402PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRLML6402

    IRLML6402
    INFIN

    MOSFET, P SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Current, Id Cont:3.7A; Resistance, Rds On:0.065ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Case Style:SOT-23 (TO-236); Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:633pF; Charge, Gate P Channel:12nC; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:11nC; Current, Idm Pulse:22A; Current, Idss Max:1.0чA; Depth, External:2.5mm; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:11mJ; Length / Height, External:1.12mm; Marking, SMD:1E; Pins, No.…

  • Изображение  IRLML6402TR

    IRLML6402TR
    INFIN

    MOSFET Transistor Package/Case:Micro-3;

  • Изображение  IRLML6402TRPBF

    IRLML6402TRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:3.7A; Resistance, Rds On:0.065ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.55V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:633pF; Charge, Gate P Channel:12nC; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:11nC; Current, Idm Pulse:22A; Current, Idss Max:1.0чA; Depth, External:2.5mm; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:11mJ; Length / Height, External:1.12mm; Marking, SMD:1E; Pins, No.…

Изображения IRLML6402PBF

IRLML6402PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRLML6402PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом