Терраэлектроника

IRF8010SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 100V, 80A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont80A
Resistance, Rds On0.015ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse320A
Power Dissipation260W
Power, Pd260W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.015ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.57°C/W
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max4V


IRF8010SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF8010SPBF

НаименованиеIRF8010SPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул251124
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRF8010SPBF, доступные на складе

Изображения IRF8010SPBF

IRF8010SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF8010SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF8010SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом