Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF8010SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, 100V, 80A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont80A
Resistance, Rds On0.015ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse320A
Power Dissipation260W
Power, Pd260W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.015ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.57°C/W
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max4V


IRF8010SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF8010SPBF

Наименование IRF8010SPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 251124
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

Аналоги IRF8010SPBF, доступные на складе

Показать все сопутствующие товары

Изображения IRF8010SPBF

IRF8010SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF8010SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF8010SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом