Терраэлектроника

MMBZ5V6ALT1G, On Semiconductor

DIODE, ZENER, 5.6V, 0.225W

Voltage, Vz5.6V
Current, Test20mA
Power Dissipation, Max225mW
Termination TypeSMD
Case StyleSOT-23
Pins, No. of3
Power, Ptot0.225W


MMBZ5V6ALT1G, On Semiconductor

Параметры MMBZ5V6ALT1G

НаименованиеMMBZ5V6ALT1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул251090
Рассеиваемая мощность
Напряжение ограничения (номинальное)
Ток утечки при рабочем напряжении
Количество линий
Корпус
Серия
Тип
Обратное напряжение Vrwm
Кол-во выводов
Напряжение пробоя Мин
Напряжение пробоя Макс

Аналоги MMBZ5V6ALT1G, доступные на складе

  • Изображение  ESDA25B1

    ESDA25B1
    ST

    LS: полупроводн.

  • Изображение  MMBZ5V6ALT3G

    MMBZ5V6ALT3G
    ONS

    Супрессор (TVS-диод)

  • Изображение  MMBZ5V6ALT1

    MMBZ5V6ALT1
    ONS

    TVS Diode Package/Case:SOT-23; Leaded Pr

  • Изображение  ESDA25B1RL

    ESDA25B1RL
    ST

    Защитная ИС - [SOIC-8-3.9]; Линий: 6; Uпорог: 25 В; Iутеч: 2 мкА; Cпараз: 15 нФ; Примечание: TRANSIL ARRAY FOR ESD PROTECTION; Траб: -40...125 °C

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1,80 руб
от 900 шт. 1,60 руб
от 2500 шт. 1,30 руб
от 6000 шт. 1,20 руб
Наличие на складе
42716 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом