Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MMBZ5V6ALT1G, On Semiconductor

DIODE, ZENER, 5.6V, 0.225W

Voltage, Vz5.6V
Current, Test20mA
Power Dissipation, Max225mW
Termination TypeSMD
Case StyleSOT-23
Pins, No. of3
Power, Ptot0.225W


MMBZ5V6ALT1G, On Semiconductor

Параметры MMBZ5V6ALT1G

Наименование MMBZ5V6ALT1G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 251090
Количество линий
Тип
Рассеиваемая мощность пиковая
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение пробоя Макс
Напряжение пробоя Мин
Обратное напряжение Vrwm
Корпус
Ток утечки при рабочем напряжении, мкА
Серия
Кол-во выводов
Пиковое рассеяние мощности

Аналоги MMBZ5V6ALT1G, доступные на складе

  • Изображение  ESDA25B1

    ESDA25B1
    ST

    LS: полупроводн.

  • Изображение  MMBZ5V6ALT1

    MMBZ5V6ALT1
    ONS

    TVS Diode Package/Case:SOT-23; Leaded Pr

  • Изображение  MMBZ5V6ALT3G

    MMBZ5V6ALT3G
    ONS

    Супрессор (TVS-диод)

  • Изображение  ESDA25B1RL

    ESDA25B1RL
    ST

    Защитная ИС - [SOIC-8-3.9]; Линий: 6; Uпорог: 25 В; Iутеч: 2 мкА; Cпараз: 15 нФ; Примечание: TRANSIL ARRAY FOR ESD PROTECTION; Траб: -40...125 °C

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1,90 руб
от 800 шт. 1,60 руб
от 2300 шт. 1,40 руб
от 4900 шт. 1,30 руб
Наличие на складе
53662 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом