Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRGS6B60KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, 600V, 13A, D2-PAK

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max13A
Voltage, Vce Sat Max2V
Power Dissipation90W
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Current, Icm Pulsed26A
Power, Pd90W
Time, Fall22ns
Time, Fall Max22ns
Time, Rise17ns
Voltage, Vceo600V


Параметры IRGS6B60KDPBF

Наименование IRGS6B60KDPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 251010
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRGS6B60KDPBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом