Терраэлектроника

NAND512W3A2BN6E, ST Microelectronics

Энергонезависимая память - [TSOP-48]; Тип: FLASH NAND; Интерфейс: параллельный; Объём: 512 Мбит; Организация: 64Mx8; Напряжение: 2.7...3.6 В; Траб: -40...85 °C


Параметры NAND512W3A2BN6E

НаименованиеNAND512W3A2BN6E
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул250929

Аналоги NAND512W3A2BN6E, доступные на складе

  • Изображение  NAND512W3A2CN6E

    NAND512W3A2CN6E
    ST

    Энергонезависимая память - [TSOP-48]; Тип: FLASH; Интерфейс: NAND; Объём: 512 Мбит; Напряжение: 2.7...3.6 В; Траб: -40...85 °C

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
534,50 руб
от 3 шт. 468,00 руб
от 8 шт. 401,00 руб
от 17 шт. 368,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом