Терраэлектроника

IRFR5410PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, P, -100V, 13A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-100V
Current, Id Cont13A
Resistance, Rds On0.205ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-4V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse5.2A
Power Dissipation66W
Power, Pd66W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V205mohm
Thermal Resistance, Junction to Case A1.9°C/W
Voltage, Vds Max100V


IRFR5410PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFR5410PBF

НаименованиеIRFR5410PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул250398
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRFR5410PBF, доступные на складе

Изображения IRFR5410PBF

IRFR5410PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR5410PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
35,00 руб
от 41 шт. 31,00 руб
от 118 шт. 26,50 руб
от 225 шт. 24,50 руб
Наличие на складе
3270 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом