Терраэлектроника

IRG4PH50S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max57A
Voltage, Vce Sat Max1.47V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247
Current, Icm Pulsed114A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max638ns
Time, Rise29ns
Voltage, Vceo1200V


IRG4PH50S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PH50S

НаименованиеIRG4PH50S
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул25013

Аналоги IRG4PH50S, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PH50SPBF

    IRG4PH50SPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 1200V, 57A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:57A; Voltage, Vce Sat Max:1.47V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:114A; Pins, No.…

  • Изображение  IRG4PH50S-EPBF

    IRG4PH50S-EPBF
    INFIN

    Discrete IGBT without Anti-Parallel Diode,

Изображения IRG4PH50S

IRG4PH50S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH50S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
393,50 руб
от 4 шт. 344,50 руб
от 11 шт. 295,00 руб
от 25 шт. 271,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом