Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4PH50S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max57A
Voltage, Vce Sat Max1.47V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247
Current, Icm Pulsed114A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max638ns
Time, Rise29ns
Voltage, Vceo1200V


IRG4PH50S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PH50S

Наименование IRG4PH50S
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 25013
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C

Аналоги IRG4PH50S, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PH50S-EPBF

    IRG4PH50S-EPBF
    INFIN

    Discrete IGBT without Anti-Parallel Diode,

  • Изображение  IRG4PH50SPBF

    IRG4PH50SPBF
    INFIN

    IGBT, 1200V, 57A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:57A; Voltage, Vce Sat Max:1.47V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:114A; Pins, No.…

Изображения IRG4PH50S

IRG4PH50S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH50S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
343,00 руб
от 11 шт. 294,00 руб
от 25 шт. 270,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом