Терраэлектроника

MMBT5401LT1G, On Semiconductor

TRANSISTOR, PNP, SOT-23

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityPNP
Voltage, Vceo150V
Current, Ic Continuous a Max50mA
Voltage, Vce Sat Max0.2V
Power Dissipation225mW
Hfe, Min60
ft, Typ300MHz
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD


MMBT5401LT1G, On Semiconductor

Параметры MMBT5401LT1G

НаименованиеMMBT5401LT1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул249906
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Граничная рабочая частота
Напряжение КЭ макс.
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия

Аналоги MMBT5401LT1G, доступные на складе

  • Изображение  MMBT5401LT3G

    MMBT5401LT3G
    ONS

    Биполярный транзистор общего назначения

Изображения MMBT5401LT1G

MMBT5401LT1G, On Semiconductor MMBT5401LT1G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1,70 руб
от 900 шт. 1,50 руб
от 3000 шт. 1,30 руб
от 6000 шт. 1,20 руб
Наличие на складе
12090 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом