Терраэлектроника

IRF5210PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET: P, -100 В, Q1: P, 60mΩ / 10V, -40 А

Описание с сайта производителя

Преимущества

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Industry-leading quality
  • Dynamic dv/dt Rating
  • Fast Switching
  • Fully Avalanche Rated
  • 175°C Operating Temperature
  • P-Channel MOSFET

Параметры IRF5210PBF

НаименованиеIRF5210PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул249616
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRF5210PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF5210

    IRF5210
    INFIN

    MOSFET, P TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Current, Id Cont:40A; Resistance, Rds On:0.06ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:140A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
89,50 руб
от 16 шт. 78,50 руб
от 50 шт. 67,00 руб
от 100 шт. 61,50 руб
Наличие на складе
2778 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом