Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF5210PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET: P, -100 В, Q1: P, 60mΩ / 10V, -40 А

Описание с сайта производителя

Преимущества

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Industry-leading quality
  • Dynamic dv/dt Rating
  • Fast Switching
  • Fully Avalanche Rated
  • 175°C Operating Temperature
  • P-Channel MOSFET

Параметры IRF5210PBF

Наименование IRF5210PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 249616
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C

Документация для IRF5210PBF

Аналоги IRF5210PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF5210

    IRF5210
    INFIN

    MOSFET, P TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Current, Id Cont:40A; Resistance, Rds On:0.06ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:140A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
74,00 руб
от 47 шт. 63,50 руб
от 101 шт. 58,50 руб
Наличие на складе
7743 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом