Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF5210PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET: P, -100 В, Q1: P, 60mΩ / 10V, -40 А


Параметры IRF5210PBF

Наименование IRF5210PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 249616
Ток стока Id
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRF5210PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF5210

    IRF5210
    INFIN

    MOSFET, P TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Current, Id Cont:40A; Resistance, Rds On:0.06ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:140A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
85,50 руб
от 17 шт. 75,00 руб
от 50 шт. 64,00 руб
от 100 шт. 59,00 руб
Наличие на складе
9505 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом