Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STB11NM80T4, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 800 В
Iс(25°C) 11 А
Rси(вкл) 0.35 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Uзатв(макс) 30 В


STB11NM80T4, STMicroelectronics

Параметры STB11NM80T4

Наименование STB11NM80T4
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 249000
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)
Кол-во выводов

Аналоги STB11NM80T4, доступные на складе

  • Изображение  SPP11N80C3XKSA1

    SPP11N80C3XKSA1
    INFIN

    MOSFET, N, COOLMOS, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:800V; Current, Id Cont:11A; Resistance, Rds On:0.45ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Temperature, Operating Range:-55°C to +150°C; Current, Id Cont @ 25°C:11A; Current, Idm Pulse:33A; Pins, No.…

Изображения STB11NM80T4

STB11NM80T4, STMicroelectronics STB11NM80T4, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
151,00 руб
от 23 шт. 129,00 руб
от 50 шт. 119,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом