Терраэлектроника

NAND512R3A2BZA6E, ST Microelectronics

Энергонезависимая память - [63-VFBGA (8.5x15)]; Тип: FLASH NAND; Интерфейс: параллельный; Объём: 512 Мбит; Организация: 64Mx8; Напряжение: 1.7...1.95 В; Траб: -40...85 °C


Параметры NAND512R3A2BZA6E

НаименованиеNAND512R3A2BZA6E
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул248848
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом