Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

NAND512R3A2BZA6E, STMicroelectronics

Энергонезависимая память - [63-VFBGA (8.5x15)]; Тип: FLASH NAND; Интерфейс: параллельный; Объём: 512 Мбит; Организация: 64Mx8; Напряжение: 1.7...1.95 В; Траб: -40...85 °C


Параметры NAND512R3A2BZA6E

Наименование NAND512R3A2BZA6E
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 248848
Размер памяти (объем)
Конфигурация (организация)
Тактовая частота (скорость)
Тип памяти
Напряжение питания макс.
Рабочая температура мин.
Рабочая температура макс.
Корпус
Тип интерфейса
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом