Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

NAND512R3A2BZA6E, STMicroelectronics

Энергонезависимая память - [63-VFBGA (8.5x15)]; Тип: FLASH NAND; Интерфейс: параллельный; Объём: 512 Мбит; Организация: 64Mx8; Напряжение: 1.7...1.95 В; Траб: -40...85 °C


Параметры NAND512R3A2BZA6E

НаименованиеNAND512R3A2BZA6E
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул248848
Рабочая температура мин.
Корпус
Тип интерфейса
Конфигурация (организация)
Тактовая частота (скорость)
Тип памяти
Размер памяти (объем)
Рабочая температура макс.
Напряжение питания макс.
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом