Терраэлектроника

IRG4PC50FDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max70A
Voltage, Vce Sat Max1.7V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed280A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max140ns
Time, Rise25ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4PC50FDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PC50FDPBF

НаименованиеIRG4PC50FDPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул248705
Напряжение насыщения К-Э
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия

Аналоги IRG4PC50FDPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PC50FD

    IRG4PC50FD
    INFIN

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:70A; Voltage, Vce Sat Max:1.7V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247; Current, Icm Pulsed:280A; Pins, No.…

  • Изображение  IRG4PC50FD-EPBF

    IRG4PC50FD-EPBF
    INFIN

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

Изображения IRG4PC50FDPBF

IRG4PC50FDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PC50FDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
248,00 руб
от 6 шт. 217,00 руб
от 16 шт. 186,00 руб
от 35 шт. 171,00 руб
Наличие на складе
995 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом