Терраэлектроника

IRG4PC50FDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max70A
Voltage, Vce Sat Max1.7V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed280A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max140ns
Time, Rise25ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4PC50FDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PC50FDPBF

НаименованиеIRG4PC50FDPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул248705
Напряжение насыщения К-Э
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия

Аналоги IRG4PC50FDPBF, доступные на складе

Изображения IRG4PC50FDPBF

IRG4PC50FDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PC50FDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
251,00 руб
от 6 шт. 219,50 руб
от 17 шт. 188,00 руб
от 37 шт. 172,50 руб
Наличие на складе
1121 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом