Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4PC50FDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max70A
Voltage, Vce Sat Max1.7V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed280A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max140ns
Time, Rise25ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4PC50FDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PC50FDPBF

НаименованиеIRG4PC50FDPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул248705
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.

Аналоги IRG4PC50FDPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PC50FD

    IRG4PC50FD
    INFIN

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:70A; Voltage, Vce Sat Max:1.7V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247; Current, Icm Pulsed:280A; Pins, No.…

  • Изображение  IKW50N60TFKSA1

    IKW50N60TFKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT Trench Field Stop 600V 80A 333W Through Hole PG-TO247-3

  • Изображение  IRG4PC50FD-EPBF

    IRG4PC50FD-EPBF
    INFIN

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

Изображения IRG4PC50FDPBF

IRG4PC50FDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PC50FDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
262,00 руб
от 6 шт. 230,00 руб
от 15 шт. 197,00 руб
от 33 шт. 181,00 руб
Наличие на складе
673 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом