Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4PF50WPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, 900V, 51A, TO-247AC

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces900V
Current, Ic Continuous a Max51A
Voltage, Vce Sat Max2.7V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed204A
Device MarkingIRG4PF50WPBF
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall220ns
Time, Fall Max220ns
Time, Rise26ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo900V


IRG4PF50WPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PF50WPBF

Наименование IRG4PF50WPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 248704
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Серия
Максимальная рабочая температура

Аналоги IRG4PF50WPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PF50W

    IRG4PF50W
    INFIN

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:51A; Voltage, Vce Sat Max:2.7V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247; Current, Icm Pulsed:204A; Pins, No.…

Изображения IRG4PF50WPBF

IRG4PF50WPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PF50WPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
313,00 руб
от 11 шт. 268,00 руб
от 25 шт. 246,00 руб
Наличие на складе
395 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом