Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFP064NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 55V, 98A, TO-247AC

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont98A
Resistance, Rds On0.008ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse390A
Pins, No. of3
Pitch, Lead5.45mm
Power Dissipation150W
Power, Pd150W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A1°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max55V


IRFP064NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFP064NPBF

Наименование IRFP064NPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 248687
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFP064NPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFP064PBF

    IRFP064PBF
    VISH/IR

    Склад (1-2 дн)

    N CHANNEL MOSFET, 60V, 70A, TO-247

  • Изображение  IRFP3306PBF

    IRFP3306PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, TO-247AC; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:120A; Resistance, Rds On:3.3mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

  • Изображение  IRFP064N

    IRFP064N
    INFIN

    MOSFET, N TO-247; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:98A; Resistance, Rds On:0.008ohm; Case Style:TO-247AC; Current, Idm Pulse:390A; Pins, No.…

Изображения IRFP064NPBF

IRFP064NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFP064NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
97,00 руб
от 15 шт. 85,00 руб
от 50 шт. 73,00 руб
от 100 шт. 67,00 руб
Наличие на складе
1257 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом