Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6620TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, 20V, MX

Transistor TypePower MOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont27A
Resistance, Rds On2.7mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.55V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Base Number6620
Current, Idm Pulse220A
Marking, SMD2.8
Power Dissipation2.8mW
Voltage, Vds20V
Voltage, Vgs th Max2.45V
Voltage, Vgs th Min1.55V


Параметры IRF6620TR1PBF

Наименование IRF6620TR1PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 248330
Корпус
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Рассеиваемая мощность
Rds(on)

Аналоги IRF6620TR1PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF6620TRPBF

    IRF6620TRPBF
    INFIN

    20V-30V N-Channel Power MOSFET,

  • Изображение  IRF6620TR1

    IRF6620TR1
    INFIN

    MOSFET, N, DIRECTFET, MX; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:20V; Current, Id Cont:150A; Resistance, Rds On:2.7mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2.45V; Case Style:MX; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:4130pF; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:13nC; Current, Idm Pulse:220A; Depth, External:6.35mm; IC Package (Case style):MX; Length / Height, External:0.7mm; Marking, SMD:6620; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом