Терраэлектроника

IRF6620TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, DIRECTFET, 20V, MX

Transistor TypePower MOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont27A
Resistance, Rds On2.7mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.55V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Base Number6620
Current, Idm Pulse220A
Marking, SMD2.8
Power Dissipation2.8mW
Voltage, Vds20V
Voltage, Vgs th Max2.45V
Voltage, Vgs th Min1.55V


Параметры IRF6620TR1PBF

НаименованиеIRF6620TR1PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул248330

Аналоги IRF6620TR1PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF6620TR1

    IRF6620TR1
    INFIN

    MOSFET, N, DIRECTFET, MX; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:20V; Current, Id Cont:150A; Resistance, Rds On:2.7mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2.45V; Case Style:MX; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:4130pF; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:13nC; Current, Idm Pulse:220A; Depth, External:6.35mm; IC Package (Case style):MX; Length / Height, External:0.7mm; Marking, SMD:6620; Pins, No.…

  • Изображение  IRF6620TRPBF

    IRF6620TRPBF
    INFIN

    20V-30V N-Channel Power MOSFET,

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом