Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRGP20B120UD-EP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max40A
Power Dissipation300W
Case StyleTO-247AD
Termination TypeThrough Hole


IRGP20B120UD-EP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGP20B120UD-EP

НаименованиеIRGP20B120UD-EP
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул247916
Напряжение насыщения К-Э
Ток коллектора макс. при 25°C
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Изображения IRGP20B120UD-EP

IRGP20B120UD-EP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGP20B120UD-EP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
437,00 руб
от 4 шт. 382,00 руб
от 9 шт. 328,00 руб
от 20 шт. 301,00 руб
Наличие на складе
96 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом