Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRGP20B120UD-EP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max40A
Power Dissipation300W
Case StyleTO-247AD
Termination TypeThrough Hole


IRGP20B120UD-EP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGP20B120UD-EP

Наименование IRGP20B120UD-EP
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 247916
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Изображения IRGP20B120UD-EP

IRGP20B120UD-EP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGP20B120UD-EP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
478,00 руб
от 3 шт. 419,00 руб
от 9 шт. 359,00 руб
от 19 шт. 330,00 руб
Наличие на складе
83 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом