Терраэлектроника

IRGP20B120UD-EP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max40A
Power Dissipation300W
Case StyleTO-247AD
Termination TypeThrough Hole

Описание с сайта производителя


IRGP20B120UD-EP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGP20B120UD-EP

НаименованиеIRGP20B120UD-EP
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул247916
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Изображения IRGP20B120UD-EP

IRGP20B120UD-EP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGP20B120UD-EP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
424,00 руб
от 4 шт. 371,00 руб
от 10 шт. 318,00 руб
от 25 шт. 292,00 руб
Наличие на складе
131 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом